بعض الاستفسارات عن الرام .إن امكن

[سلام]

السلام عليكم :
لدي بعض الاستفسارات عن الرام وارجوا منكم تجاوبوني عليها


1-ما أسم القوائم التي يتم من خلالها تغيير تواقيت الرام وناقل الرام والفولت .
ارجو بالتفصيل من اول ما تدخل للبيوس ؟( اوارد و AMI ) ؟
واذا لم يوجد بالبيوس هذه الخيارات (قوائم تغيير اعدادات الرام )هل ممكن ان توجد على شكل جمبر للوحه ؟
واذا اللوحه ما كانت تدعم التغيير لا من البيوس ولا الجمبر . هل تستطيع اللوحه ان تحدد
ناقل الرام والفولت حق الرام والتواقيت بشكل صحيح من ذات نفسها . او تكون اللوحة في هذه الحاله موضوعه على اعدادات
خاصه بمعالج ما ؟

2- أحد الاعضاء ذكر ان خلي اعدادات الرام علىAuto يا اخوان في وضع Auto لاعدادات الرام هل تستطيع اللوحه تحديد ناقل وفولت وتوقيت الرامه الاساسي ؟

3- ارجو من أحد الاخوه ان يوضح لنا ما هي التواقيت اصلا . ارجوا التوضيح من (صورة من احد المشاركات) ماذا يعني 1:1 في FSB:DRAM وكذلك RAS:toCAS وRAS:Precharge وCycle Time .
https://www.arabhardware.net/attachment.php?s=&postid=79542
4- ماذا تعني هذه الكلمه في البيوس Spread Spectrum ؟

وشاكر لكم حسن تعاونكم

[data]

السلام عليكم

القائمة تختلف من لوحة الى لوحة ...لكن بشكل عام تجده في الاختيار ADVANCED CHIPSET FUTURE .
اللوحات الجديدة فيها تغيير تواقيت الرام من البيوس فقط.وكما في الصورة.
وضعية AUTO هي الوضعية الاكثر امان حيث يتم تحديد الفولتية من قبل اللوحة.
النسبة FSB/RAM عبارة عن توحيد الناقل الامامي لكل من المعالج والرام .فمثلا المعالج بناقل امامي 166 مثلا والرام بناقل امامي 200 .في وضعية 1/1 تصبح الناقل الامامي للرام 166 اي مثل ناقل المعالج .وهكذا باقي سائر النسب.
اما التواقيت التابعة للرام ف CL يقصد بها عدد الدورات التي تحتاجها الذاكرة لمعاودة إرسال التعليمة ، وكلما نقصت كلما كان الجهاز أسرع.

https://rds.yahoo.com/S=96062883/K=BIOS/v=2/l=IVI/*-https://www.dark-tweaker.com/software/8rda-bios-21.jpg

[سلام]

مشكور اخوي data الله يخليك ويبارك فيك
ما قصرت يا الغالي مشكور اخوي واتمنى الزياده منك ان امكن
نسبة FSB/RAM هل يمكن تغيرها بحيث نجعل للمعالج سرعة ناقل خاصه
و ناقل الرام نجعله سرعه خاصه

يالت تشرح لنا بقيت التواقيت الثلاث الضاهره في صورة البيوس
-T-RAS
-T-RCD
-T-RP
وشوفها يا خوي متغيره الاسما في البرنامج عن البيوس

ومشكور وسمحلي ثجلت عليك

[الوليد]

بسم الله الرحمن الرحيم

لدينا بالمجلة 3 مقالات تتكلم بالتفصيل عن قوائم البيوس والاعدادات المفضلة لها. اعتقد انك قد تجد جوابا لكل اسئلتك هناك:

https://www.arabhardware.com/modules.php?name=Content&pa=showpage&pid=12

[سلام]

مشكور أخي الوليد وسوف اقرأها ان شاء الله

[data]

السلام عليكم

نعم بواسطة البيوس تستطيع تغيير نسبة الناقل الامامي للمعالج والرام ....وهذا مفيد جدا عندما تقوم بكسر سرعة المعالج.

اما بقية التعاريف فاليك التعاريف بالانكليزية
CAS Latency tCL (1.5/ 2.0/ 2.5/ 3.0) (CAS Latency Time, CAS Timing Delay) The number of clock cycles that pass from the column being addressed to the data arriving in the output register. The memory manufacturer lists the best possible setting as the CL rating.

Command Rate CMD (1/ 2) (Command Rate, MA 1T/2T Select) Number of clock cycles needed to address the memory module and the memory chip with the desired data zone. If your memory banks are full to capacity, you will have to raise this rate to two, resulting in a considerable drop in performance.

RAS Precharge Time tRP (2/ 3/4) (RAS Precharge, Precharge to active) Number of clock cycles needed to precharge the circuits so that the row address can be determined.

RAS-to-CAS Delay tRCD (2/ 3/ 4) (RAS to CAS Delay, Active to CMD) Number of clock cycles that pass between the row address being determined and the column address being sent out. Setting this value to two clock cycles can enhance performance by up to four percent.

Row Active Time tRAS (5/ 6/ 7) (Active to Precharge Delay, Precharge Wait State, Row Active Delay, Row Precharge Delay) Delay that results when two different rows in a memory chip are addressed one after another.