الترانزستور و تقنيات التصنيع

[CR@N$H]

https://img26.imageshack.us/img26/9083/bism3.gif (https://img26.imageshack.us/my.php?image=bism3.gif)

في البداية أحب ان اعلق على أمر بسيط
سأعتمد يوم الجمعة ليصبح اليوم الذي سأطرح فيه المواضيع إعتبارا من الموضوع القادم "كيف يعمل المعالج 103"



في هذا الموضوع سنتكلم عن الترانزستور من حيث البنية و الاستخدام وكيف يمكن الحصول على البوابات المنطقية الاساسية منه و بعض المعلومات الاساسية عن تقنيات التصنيع الخاصة بالمعالجات

أنواع المواد من ناحية الناقلية الكهربائية:
المواد الموصلة :
وھي المواد التي يمكن لإلكترونات المدار الخارجي فيھا أن تتحرر من ذرّاتھا وتتحرك حركة عشوائية بين الذرات،وإذا تعرضت لفرق جھد (أي الالكترونات) يتشكل تيار كھربائي.
من أمثلة المواد الموصلة كھربائياً : الفضة ، النحاس ، الألمنيوم وعموم المعادن .

المواد العازلة :
وھي المواد التي تشتد فيھا قوة جذب النواة لإلكترونات المدار الخارجي فلا تستطيع الخروج من الذرة .ومن أمثلة المواد العازلة للكھرباء : الورق ،الزجاج ،الميكا ، البلاستيك ، المطاط وغيرھا .

المواد شبه الموصلة :
من المعروف أن الذرة ھي أصغر جزء في العنصر، وطبقاً لنظرية (بور) التقليدية فان الذرة تحتوى على نواة مركزية محاطة بسحابة من الالكترونات سالبة الشحنة تدور في مدارات بيضاوية حول النواة.


تكوين الذرة:


https://img233.imageshack.us/img233/6415/89426979.jpg (https://img233.imageshack.us/my.php?image=89426979.jpg)


تحتوي النواة على نوعين من الأجسام، أحدھا موجب الشحنة ويطلق عليھا (بروتونات)، والثاني متعادل الشحنة يطلق عليھا (نيوترونات) ويدور حول النواة (إلكترونات) سالبة الشحنة في مدارات ثابتة.
تنتمي مادتي السليكون والجرمانيوم إلى عائلة أشباه الموصلات، تحتوي كل من ذرتي السليكون والجرمانيوم على أربعة الكترونات تكافؤ،(الكترونات التكافؤ ھي الكترونات المدار الخارجي للذرة وتساھم في التفاعلات الكيميائية) والاختلاف بينھما ھو أن ذرة السليكون تحتوي على 14 بروتون في النواة بينما ذرة الجرمانيوم تحتوي على 32 بروتون، ويوضح الشكل التركيب الذري لمادة السليكون و التركيب الذري لمادة الجرمانيوم .


https://img838.imageshack.us/img838/9617/65289173.jpg (https://img838.imageshack.us/my.php?image=65289173.jpg)


الرابطة التساھمية في أشباه الموصلات :


https://img42.imageshack.us/img42/7156/90878153.jpg (https://img42.imageshack.us/my.php?image=90878153.jpg)


تحتوي ذرة الجرمانيوم على أربعة الكترونات في المدار الخارجي ، وحتى يكتمل نطاق التكافؤ للجرمانيوم فإنه لابد من وجود ثمانية الكترونات في المدار الخارجي وعلى ذلك فان كل ذرة تشارك الذرات الأربع التي حولھا بالصورة الموضحة في الشكل والتي يطلق عليھا (الرابطة التساھمية)، وفي ھذه الرابطة تبدو الذرة وكأنھا محاطة بثمانية الكترونات (الأربع ذرات الأصلية وأربع ذرات أخرى بواسطة الرابطة التساھمية)، وبالتأكيد فان الذرة في ھذه الحالة لا تكون قابلة للتوصيل حيث أنه لا يوجد الكترونات حرة لنقل الطاقة، ويطلق على ھذا البناء (البناء البلوري ).
إن السليكون والجرمانيوم في صورتيھما النقية أقرب إلى المواد العازلة ، ولكن بعد أن تضاف إليھما بعض الشوائب يصبحان من أشباه الموصلات .

بلورات أنصاف النواقل المشوبة:
البلورة السالبة N :
لكي تتحول البلورة النقية إلى مادة قابلة للتوصيل فانه يتم تطعيمھا بأحد المواد التي يطلق عليھا (مواد شائبة)، ومن أمثلة المواد الشائبة المستخدمة في تكوين والانتيمون والزنك البلورة السالبة، مادة الفسفور وتشترك ھذه المواد في خاصية احتوائھا على خمسة الكترونات خارجية .
حيث (N) ويظھر الشكل أسلوب تكوين البلورة السالبة نجد أن كل أربعة الكترونات تكافؤ من الكترونات المادة الشائبة (الزنك) ترتبط في روابط تساھمية مع ذرة جرمانيوم ليكتمل المدار الخارجي لذرة الجرمانيوم، ويتبقى إلكترون زائد من الزنك يصبح حر الحركة خلال البلورة، بھذا الأسلوب يزداد عدد الإلكترونات (السالبة) الحرة، وتتحول المادة إلى بلورة سالبة ويرمز لھا بالرمز N.


https://img808.imageshack.us/img808/4706/64823715.jpg (https://img808.imageshack.us/my.php?image=64823715.jpg)


البلورة الموجبةP :
بنفس الأسلوب يتم إضافة مادة شائبة إلى الجرمانيوم أو السليكون، ولكن في ھذه الحالة يستخدم مادة شائبة ثلاثية التكافؤ مثل الأنديوم أو الغاليوم أو البورون
إن إلكترونات التكافؤ الثلاثة للأنديوم كما في الشكل ترتبط مع ذرات الجرمانيوم برابطة تساھمية وھنا نجد أن ذرة الجرمانيوم ينقصھا إلكترون واحد حتى يكتمل البناء الترابطي التساھمي وھذا يعني وجود فجوة والتي تمثل شحنة موجبة لھا قدرة قوية على جذب الإلكترون. بھذه الصورة يزداد عدد الفجوات، أي عدد الشحنات الموجبة وتزداد معھا ايجابية المادة وتصبح ھذه الفجوات الموجبة مسئولة عن توصيل التيار في المادة ولھذا يطلق على المادة (بلورة موجبة) ويرمز لھا بالرمز P

الان ما حدث بعد الوصول إلى N و P هو محاولة دمجهم معا بتركيب معين للحصول على عناصر جديدة (لأخذ العلم أن كل بلورة لوحدها تعامل كمقاومة)

الثنائي المساري Diode:


https://img251.imageshack.us/img251/5325/35649022.jpg (https://img251.imageshack.us/my.php?image=35649022.jpg)


و هو بعارة عن إلتحام بلورتين إحداهما N و الأخرى P


https://img87.imageshack.us/img87/5177/92438563.jpg (https://img87.imageshack.us/my.php?image=92438563.jpg)


مهمة هذا العنصر هي شارع باتجاه واحد أي أنه يسمح للإلكترونات (تحرك الإلكترونات هي التعريف الفيزيائي للتيار الكهربائي) بالتحرك باتجاه واحد و يمنع تحركها في الإتجاه الأخر فهو يسمح بمرور التيار من المصعد إلى المهبط
وهذا العنصر يستخدم بشكل كبير في دارات التغذية التي تحول التيار المتناوب إلى مستمر

ما حدث لاحقا أنه تم إضافة طبقة جديدة من البلورات

الترانزستور Transistors:
للترانزستور أنواع عديدة ولكني هنا سأتحدث عن نوعين فقط الأول هو الBJT و الثاني هو الMosFET
الترانزستور (BJT (Bipolar Junction transistor:


https://img168.imageshack.us/img168/874/34995511.jpg (https://img168.imageshack.us/my.php?image=34995511.jpg)


يتكون الBJT من ثلاث طبقات من البلورات و يحدد نوعه حسب ترتيب هذه البطاقات لذلك يوجد لدينا PNP BJT و NPN BJT وغالبا ما يذكر نوعه فقط بغص النظر عن العائلة فيقال PNP فقط و يتكون من ثلاثة اطراف هم المجمع C و المشع E و القاعدة B وهذه الأطراف متصلة مع البلورات الثلاث و من الصورة نلاحظ إختلاف مقاسات البلورات وهذا الإخلاف يعطي للترانزستور خصائصه


https://img576.imageshack.us/img576/2687/73580817.jpg (https://img576.imageshack.us/my.php?image=73580817.jpg)


هذا النوع من الترانستورات له استخدامين اساسيين هما:
1- التضخيم Amplifier : و المقصود به التحكم بالتيار على خرجه حسب التيار المار بدخله و طبعا هناك فرق في قيمة هذا التيار
و يكون الخرج "غالبا" بين طرفي E و C أما الدخل فيكون عن طريق B


https://img190.imageshack.us/img190/411/69657774.jpg (https://img190.imageshack.us/my.php?image=69657774.jpg)


2-مفتاح Switch : وهنا يعمل على وضعيتين فقط on و off أي إما يسمح بمرور التيار أم لا


https://img507.imageshack.us/img507/773/61484030.jpg (https://img507.imageshack.us/my.php?image=61484030.jpg)


و تسمى الشرائح الإلكترونية التي تصمم على اساس هذه الترانزستورات بعوائل الTTL

الأن نأتي إلى النوع الأهم و هو الMosFET وهذه الترانزستورات تتبع لعائلة أكبر منها تسمى ال (FET(Filed Effect Transistor أي ترانزستور التأثير الحقلي و تتميز هذه العائلة بإعتمادها على الجهد عوضا عن التيار في التحكم بالخرج


https://img714.imageshack.us/img714/5223/85724420.jpg (https://img714.imageshack.us/my.php?image=85724420.jpg)


ترانزستور ال (MosFET (Metal Oxide Semiconductor FET :
يتكون هذا الترانزستور من طبقة اساس P أو N تحوي على حفرتين من نوعين مختلفين عن الاساس (N أو P) يوجد فوق هذه الطبقة و في منتصفها طبقة بسيطة من اكسيد المعادن و هذه الطبقة عازلة و فوق طبقة اكسيد المعدن تتوضع طبقة من المعدن التي تتصل مع سلك لتعطي نهاية تسمى البوابة Gate أما الحفرتين فتتصل كل واحدة منهما مع سلك فتسمى إحداهما المنبع Source و الثانية المصب Drain (إن كان لدى أحد ترجمة أفضل أرجوكم) كما توضح الصورة ويسمى الترانزستور بN-MOS أو P-MOS حسب نوع البلورة المشكلة للحفرة


https://img823.imageshack.us/img823/3351/34268837.jpg (https://img823.imageshack.us/my.php?image=34268837.jpg)

https://img227.imageshack.us/img227/4879/30259792.jpg (https://img227.imageshack.us/my.php?image=30259792.jpg)

https://img139.imageshack.us/img139/9364/13151961.jpg (https://img139.imageshack.us/my.php?image=13151961.jpg)


تستخدم ترانزستورات الFET بشكل عام كمفتاح Switch و نادرا ما تستخدم في التضخيم
عند تشغيل عمل الترانزستور ينشأ ما يسمى القناة .
القناة:
هي عبارة عن جسر من حوامل الشحنة (الإلكترونات و الثقوب) تصل بين الحفرتين حيث يمر تيار الخرج فيها بعد تطبيق جهد مناسب على البوابة و هذا الجهد موجب في الN-MOS و سالب في الP-MOS
طول القناة هو المسافة التي تفصل بين الحفرتين و ترمز بL
أما عرض القناة فهي البعد الأفقي لها و ترمز ب w و تساوي عرض كل من الطبقة الاساسية و الحفر ولا يهمنا كثيرا مدى تخلل القناة للطبقة الاساسية

سأضيف المشاركات الجديدة في الموضوع على شكل راوبط هنا
البداية مع CMOS (https://www.arabhardware.net/forum/showpost.php?p=1614933&postcount=16)

[starahmad2005]

موضوع رائع

[EN.AhMeD]

رائع جدا اخي خير ..

بارك الله فيك ..

الى المزيد من التقدم:)

[محمد أبوحجلة]

السلام عليكم

مجهود كبير....
لي عودة بعد القراءة الدقيقة.

[dungel]

بارك الله فيك
وبانتظار الباقي
ومبرووووك علي الاشراف

[Brigadier]

حقيقةً موضوعك هذا اخي خير الدين لامس جزء من دراستي بمجال الالكترونيات و للتو قرأت موضوعك الشيق و تذكرت ما درسته منذ ما يقارب الاربع سنوات :)

كنت اتمنى لو اتيحت لي الفرصه مستقبلاً ان نضع مواضيع مشتركه نظراً لتشابه دراستنا بالاساس "الكهرباء".

سأكون سعيداً باضافتك المزيد من المواضيع التخصصيه .

بارك الله فيك.

[CR@N$H]

أخوتي starahmad2005 , EN.AhMeD, dungel
مشكور مروكم
أخ محمد انا في انتظارك
اخي نادر ردك هذا يسعدني جدا

كنت اتمنى لو اتيحت لي الفرصه مستقبلاً ان نضع مواضيع مشتركه نظراً لتشابه دراستنا بالاساس "الكهرباء".
المستقبل ما زال موجود و لي الشرف بالعمل معك

سأكون سعيداً باضافتك المزيد من المواضيع التخصصيه .
إن شاء الله
حقيقة كنت متردد جدا بخصوص هذا الموضوع فهو مختص بالإلكترونيات اكثر منه بالمعالجات ولكن في النهاية قلت لم لا فالمعالجات نفسها تخضع لقوانين الإلكترونيات

[شلاع العتر]

راااائع .. :)

أخي خير هل وقفتَ على هذا الخبر المثير للغاية والذي يبدو انه سيصرف عليه الالاف الملايين :)



increase the energy efficiency of these devices, when active, by 10 times and virtually eliminate power consumption when they are in passive or standby mode.


للمزيد: هنا (https://www.xbitlabs.com/news/other/display/20101027214852_IBM_to_Help_EU_Led_Consortium_to_Im prove_Efficiency_Eliminate_Power_Consumption_of_De vices_in_Standby_Mode.html)

[Maged-Z]

مجهود ضخم ..وموضوع رائع قمت بعرضه بأسلوبك المتميز..أسأل الله أن يزيدك من علمه ...وأن ينفع بعلمك الناس .
بارك الله فيك يا أخى الحبيب خير الدين.

[S@M]

روعة يا عزيزى خير الدين ...:)

الله يزيدك علم كمان وكمان ...:)

الموضوع رائع ...قرأتة بالكامل ..ولكنى اشعر اننى محتاج لآقرأة مرة اخرى على رواقة غدا :)


الف شكر يا عزيزى على الافادة العلمية الممتازة ...:)

[ibrahimfr]

جزاك الله خيراً أخي خير الدين مقال ولا أروع ,, لدي سؤال , ولكن أظن إجابته في المقال القادم لذلك سأنتظر .


بإعتمادها على الجهد عوضا عن التيار في التحكم بالخرج

:confused::confused::confused: ماذا لو أردنا شيء يتحكم بالخرج والتيار معاً ! <<< أنا غير مسؤول عن هذا السؤال , لأني ربما فهمت الجملة خطأ :D

[CR@N$H]

المتحكم (الفاعل) هو التيار أو الجهد اما الخرج هو تيار "لأن تشغيل الضوء مثلا أو إطفاءه يمثل مرور التيار فيه أم لا"
---------------------------------------------------------------------------------------------------------
نعم أخي جهاد قراته و لكن اظن انه سيحتاج لفترة و من الممكن أن نشاهد بعد فترة هذه الجملة 300pm TFET SOI

[Muhamad Amru Eldan]

شكرا

[A. Waheed]

شكراً جزيلاً جزيلاً
جعله الله فى ميزان حسناتك ، بإذن الله سأقرأ الموضوع على رواقه

[MF88]

شىء جميــــــل جداً . لكن الموضوع ده لا بد ان تتم قراءته أكثر من مره : لما فيه من دسامه فى المعلومات

[CR@N$H]

الان سأكمل الحديث هنا و سأضع الرابط في المشاركة الأولى
و أشكر كل من شجعني و قيمني و يرجى قتل سمعة مرة اخرى :D

الان سأبدأ بالحديث عن ال(CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor و هي عائلة الترانزستورات التي تتكون منها جميع الشرائح الإلكترونية في الحاسب
وھو عبارة عن دارة تجمع بین ترانزستورين من نوع (N-Channel , P-Channel) ويكون عمله كالآتي :
*عندما يكون مستوى الدخل منخفضاً على البوابة LOW يعمل الترانزستور P-MOS أي الترانزستور ذو القناة P على تمرير التیار من D ل S ، ولا يعمل الترانزستور الآخر.
*عندما يكون مستوى الدخل منخفضاً على البوابة High يعمل الترانزستور N-MOS أي الترانزستور ذو القناة N على تمرير التیار من D ل S ، ولا يعمل الترانزستور الآخر.
أي أنه في دارة ال CMOS يعمل الN-MOS و ال PMOS بصورة عكسیة (أحدھما يمرر والآخر لا).


https://img525.imageshack.us/img525/2264/22651955.jpg (https://img525.imageshack.us/my.php?image=22651955.jpg)


الدارة التي تشاهدونها في الأعلى هي دارة الNOT التي نحدثت عنها في موضوع "كيف يعمل المعالج 102"

الأن سأشرح أمر بسيط جدا هو هذه الجملة
45nm Cmos technology
هذه الجملة نراها بشكل كبير في المعالجات "بغض النظر عن رقم دقة التصنيع" و هنا سأشرح ما تعنيه
45nm هي طول القناة L التي تحدثت عنها في المشاركة الأولى و هي أقل طول يمكن ان يصنع فيه الترانزستور الواحد و لا ننسى أنه جسم حقيقي له طول و عرض و ارتفاع "الإرتفاع لا يهمنا" لذلك أقل طول و عرض يمكن اعتماده
غالبا ما يتم المحافظة على طول القناة L ثابت في عملية التصميم لذلك يبقى لدينا خيار التحكم في العرض W
كلمة Cmos تدل على إعتماد عائلة الCMOS في تصميم الدارات الإلكترونية التي تشكل المعالج
في الرد القادم سأتحدث عن معنى (SOI (Silicon on insulator "في حال فهمته انا" و ساتحدث عن بعض العلاقات الرياضية التي تنظم عمل الCmos و كيفية تأثيرها على كسر السرعة
و السلام عليكم

[DaRk L0rD]

كلمة رائع لا توفيق حقك
مجهود رائع اخي خير الدين للاسف سمعة مات بس قريب هيعتزل :D

[Hameedo]

أشكرك علي الموضوع المتماسك أخي خير الدين .

واسمح لي أن أنتهز الفرصة لاستفسر عن التفسير الجامعي Academic للقدرة علي التحكم في عرض القناة بمجرد استعمال جهد متغير .

بمعني آخر ، كيف تفسر الكتب الجامعية عندكم هذا الأمر من الناحية الفيزيائية البحتة ؟

وبالمناسبة ، وللعلم فقط ، فان تعريب لفظة Transistor هو دائرة المُمانعة المُتبدّلة/المُتغيرة ، أو المٌمانع المٌتغيّر .

[CR@N$H]

DaRk L0rD
مشكور مرورك أحيي في سمعة تصميمه و إرادته :D

دكتور محمد
الموضوع موضوعك اعمل فيه ما تشاء

التفسير العلمي في الFET هو كالتالي
ما يحدث فيه هو عند تطبيق جهد مناسب "بالنسبة للN-MOS هو جهد موجب" على البوابة و بسبب وجود طبقة العازل من أكسيد السيليكون SIO2 يقوم حقل الجهد الموجب بجذب الإلكترونات السالبة الموجودة في طبقات أنصاف النواقل "من حفرتي الN و طبقة الP"
جذب الإلكترونات و تجمعها على حافة العازل السفلية "من طرفP" يجعلها على شكل انبوب من الإلكترونات القابلة للحركة و عند تطبيق جهد بين حفرتي الN سيمر التيار و لأخذ العلم في الMOSFET لا يوجد قطبية بين الSource و الDrain فيمكن أن يمر التيار بالاتجاهين
وهناك ملف GIF جميل جدا موجود على صفحة الMOSFET في ويكيبيديا يحاكي تشكل القناة
أما عن الBJT يعتمد على مبدأ زيادة عدد الإلكترونات في القاعدة نتيجة مرور التيار فيها هذه الزيادة تنقص من ممانعة القاعدة فتسمح بمرور عدد إلكترونات اكبر من المشع "E" إلى أن يصل إلى حد الإشباع
أي استفسار أخر انا جاهز و في الخدمة
إن شاء الله سأضيف قريبا مجموعة من العلاقات الرياضية التي تبين لماذا نحتاج إلى زيادة الجهد عند كسر السرعة و علاقة دقة التصنيع مع الحرارة
أما بالنسبة لترجمة كلمة الTransistor فانا أعرفها و لكن لا أفضل استخدامها كي لا تختلط مع امور اخرى لدي

[Hameedo]

ما يحدث فيه هو عند تطبيق جهد مناسب "بالنسبة للN-MOS هو جهد موجب" على البوابة و بسبب وجود طبقة العازل من أكسيد السيليكون SIO2 يقوم حقل الجهد الموجب بجذب الإلكترونات السالبة الموجودة في طبقات أنصاف النواقل "من حفرتي الN و طبقة الP"
هذا ما أردت سماعه ..

منذ فترة ، قرأت كتابا بالعربية عن دوائر المٌمانعة المتغيّرة ، وفي الفصل الذي يتحدث عن دوائر التأثير الحقلي ، كان الكتاب قاصرا في تبيين أن المجال (الحقل) الكهربي هو العامل الأساسي في نجاح هذه المنظومة ، ولقد اعتبرت هذا عيبا خطيرا في الكتاب ، حيث يصبح الأمر غامضا علي القارئ ، والذي لن يفهم سبب اضافة طبقة العازل علي البواية .

الحقل الكهربي قام بجمع وحصد كل الكترونات جسم الدائرة ، بين منطقتي المصدر Source والمصب Drain ، استعدادا للتحكم في تلك الالكترونات عن طريق حقل كهربي آخر ، والعازل موجود بالطبع ليمنع حدوث أي تأثير غير الانجذاب ، (يمكن تشبيه العملية كلها بمغناطيس يجذب مجموعة من المسامير عبر قطعة من القماش تفصل بينهما ) وهذا ما لم يوضحه الكتاب للأسف ، وخشيت أن يكون هذا حال كل الكتب العربية التي تتناول هذه النقطة .

[CR@N$H]

وخشيت أن يكون هذا حال كل الكتب العربية التي تتناول هذه النقطة .
في الحقيقة هذا هو الحال مع الاسف و ما اعتمد عليه في دراستي هو الكتب الإنكليزية مع الأسف
منذ دخولي إلى الجامعة حتى الأن لم ارى كتاب عربي تقني جيد باستثناء بعض الكتب التي تعد على يد واحدة
هذا الكتاب قمت برفعه الأن
وهو في الحقيقة الكتاب العربي بصيغة الPDF الذي يستحق القراءة و كاتبه مهندس يسعى للحصول على شهادة الماجستير في جامعة حلب
https://www.mediafire.com/?105jw25h81yg31u
ونصيحة ابتعد عن الكتب العربية في هذا المجال "مع الأسف :("

والعازل موجود بالطبع ليمنع حدوث أي تأثير غير الانجذاب
الأمر الأخر العازل يؤمن مقاومة على الدخل عالية جدا لا تسمح بمرور أي تيار "رغم وجود تيار تسربي صغير جدا" مما يمسح باعتماد عدد كبير منها خلف بعضها و هذا يوفر إنخفاض في المردود الحراري و الاستطاعة الضائعة و هو ما لا تمتلكه الBJT

[basmaje]

ما شاء الله موضوع مهم وخاصة لفهم مبادئ انصاف النواقل بشكل مبسط

[CR@N$H]

سأضع سؤالين و أتمنى أن يكون هناك بعض التجواب من الأعضاء قبل أن اكمل
1- هل تعتقد اننا ممكن أن نرى معالج بترددات قصوى أعلى "مع كسر السرعة" من الحالية مع إنقاص من دقة التصنيع
2- لماذا نقوم برفع الجهد عندما يصل المعالج إلى مرحلة عدم الإستقرار مع كسر السرعة و ما هو سبب عدم الاستقرار

[Hameedo]

1- نعم ، إنقاص دقة التصنيع يُقلل من حجم كل دائرة كهربية ، وبالتالي يقلل من الجهد اللازم لتحريك التيار الكهربي فيها ، ويقلل من الخرج الحراري أيضا ، وكلها عوامل تصب في مصلحة زيادة التردد مع توافر الظروف الملائمة ، من تبريد جيد ، وجهد مناسب .

2-السبب هو أن زيادة التردد ، تزيد من الخرج الحراري ، وهذا يقلل من التيار الكهربي الفعال ، حيث يتحول جزء من هذا التيار الي اهتزازت عشوائية (حرارة) لذرات الدوائر ، ويلزم رفع الجهد لتعويض الفاقد .

الترددات العالية تحتاج الي فرق جهد مرتفع أيضا ، لأن فرق الجهد يتحكم في سرعة وشدة التيار المار ، ومع السرعات العالية ، تقل هذه الشدة ، وترتبك عملية المعالجة نتيجة لذلك ، ما لم يتم رفع الجهد لتعويض الفاقد .

[PC - 17]

ماشاء الله موضوع ممتاز وملئ بالمعرفة تمت قرائتة اكثر من مرة, تم التقييم

[CR@N$H]

- نعم ، إنقاص دقة التصنيع يُقلل من حجم كل دائرة كهربية ، وبالتالي يقلل من الجهد اللازم لتحريك التيار الكهربي فيها ، ويقلل من الخرج الحراري أيضا ، وكلها عوامل تصب في مصلحة زيادة التردد مع توافر الظروف الملائمة ، من تبريد جيد ، وجهد مناسب .
في الحقيقة هذا الرد يتضمن جزء بسيط من الحقيقة و ليست الحقيقة الكاملة
كلما نقصت دقة التصنيع كلما كان أعلى تردد ممكن للمعالج الوصول إليه عند نفس الجهد أقل :eek:
أنت قلتها بنفسك كلما صغرت دقة التصنيع كلما أصبحت الدارة الإلكترونية أقل مما يعني مساحة أقل ليستطيع التيار المرور فيها مما يعني زمن اطول للإنتقال من حالة 1 منطقي إلى ال0 منطقي و بالعكس و كنتيجة سيقل التردد الاعظمي
طبعا رفع الجهد يقلل من هذا الزمن لأنه يسمح بحركة أسرع للإلكترونات داخل النواقل
في حال كان هناك رغبة من الأعضاء سأضع القوانين الفيزيائية الناظمة للعملية و التي توضع التناسب العكسي بين طول القناة و أعلى تردد يمكن العمل عليه نظريا

السبب هو أن زيادة التردد ، تزيد من الخرج الحراري ، وهذا يقلل من التيار الكهربي الفعال ، حيث يتحول جزء من هذا التيار الي اهتزازت عشوائية (حرارة) لذرات الدوائر ، ويلزم رفع الجهد لتعويض الفاقد .
الجواب صحيح و لكن ليس كامل
الزيادة في الحقل الكهربائي كافية لتخميد الإهتزاز أو بالأحرى توجيهه و أيضا تسريع حركة الإلكترونات داخل النواقل إذ أن سرعة الإلكترون في الناقل تتناسب طردا مع الحقل الكهربائي و عكسا مع المقاومة

ترتبك عملية المعالجة
في الحقيقة هذه الجملة جميلة جدا
وهو ما يحدث حقيقة في المعالج
ما يحدث هو عدم قدرة دارة ما الإنتقال من 1 إلى 0 أو بالعكس بالسرعة الكافية فيعطي خطا في عملية المعالجة و حسب هذه الدارة يكون ردة الفعل على عدم الاستقرار إما خلل أثناء الضغط أو إعادة تشغيل أو مشاكل اخرى
كنت اتمنى ان يكون هناك تجاوب أكثر من الأعضاء و لكن على كل حال سأكمل اليوم يإذن الله

[Eng.MinaEdward]

موضوع رائع يا عزيزى خير

لماذا لم تضع من اين جاءت تسمية الترنزيستور بهذا الاسم ؟؟؟ (فانا أريد التأكد من معلومة لدى ايضا :) )

ومقارنة هذا بالترجمة العربية النووية هذه


دائرة المُمانعة المُتبدّلة/المُتغيرة

:eek::eek::eek:

:confused:

[Brigadier]

على حد علمي ترانزستور اتت من الاتي
Transition Resistor

[Eng.MinaEdward]

بالفعل *

وهى قادمة عند عمل DC Analysis للترانزيستور و الوصول عن تحويل المعادلة ال

Vbb-Vbe=IbRb+Ib (B+1)Re

وهنا للتحويل من ال Emitor الىBase

ومعامل التضخيم هنا هوا بيتا +1

والاخرى هى

Vbb-Vbe=IeRe+Ie/ (B+1)Rb

وهنا قمت بالتقليل لانى نقلت من ال Base الى ال Emitor

اى انك تقوم بتحريك المقاومات بالضرب او القسمة

مثال

كمن يملك 5 دولات عندما يأتى الى مصر يصبحوا 30 جنيها (ضرب فى 6)
و العكس عندا تذهب الى ماما يصبحوا قليلين جدا 5دولار (اقسم على 6)

بالتالى من تحليل دائرة التارنزيسستور و هذا التحزيل جاء المسمى

Transition of Resistor
كما اسلفت يا عزيزى نادر

لذلك ذهلت من جملة


دائرة المُمانعة المُتبدّلة/المُتغيرة


شككت فى المعلومة لان الدكتور الذى يدرس لنا يتمتع بروح دعابة رهيبة فشككت ان تكون هذة احدى دعابتة المعهودة :)

[Brigadier]

هي ترجمه عربية صحيحه للترانزيستور "الممانعه المتنقله او المتغيره "..:)